Huawei научился производить «почти» 5 нм чипы с китайским оборудованием и готовит 3 нм технологический процесс

Huawei научился производить «почти» 5 нм чипы с китайским оборудованием и готовит 3 нм технологический процесс

Общепринято, что Huawei является наибольшей необходимостью освоения современных литографических технологий. Его контрагент SMIC теперь способен производить 7 нм чипов, но сам Huawei пошел дальше, предлагая продукты с характеристиками, эквивалентными для иностранных 5 -нм чипов. Huawei может даже контролировать процесс 3 нм в следующем году.

Интересная информация по этой теме была опубликована The United Daily News Taiwanse Resource, который начался с обсуждения происхождения процессоров Hisilicon Kirin X90, представленных в этом месяце. Вопреки ожиданиям, они не производятся в процессе 5 нм в своем первоначальном смысле. Был использован 7 -нм процесс SMIC, но Huawei смог улучшить плотность транзисторов, перейдя к более современной упаковке чипсета. Уровень извлечения чипа не превышает 50%, поэтому производство таких полупроводниковых продуктов по -прежнему довольно дорого.

Huawei также смог создать производственные линии, полностью лишенные иностранного литографического оборудования.

Чтобы показать проектирование разработанных чипов, компания использует оборудование Shanghai Micro Electronics из серии SSA800, которая, благодаря использованию нескольких отрывков и множества фото -спаек, вам позволяет получить необходимые физические параметры созданных чипов. Компания использует оборудование AMEC, чтобы протянуть кремниевые пластины, что технически подходит для процесса 5 нм, а тестовое и измеренное оборудование подходящего класса точности поставляется китайской технологией Науры. Такая экосистема должна позволить другим производителям китайских чипов добиться прогресса в области литографии, сохраняя при этом санкции США, поддерживаемые Японией и Нидерландами.

Согласно тайваньским средствам массовой информации, подготовка Huawei к технологии 3 нм также продолжается. В следующем году он должен быть готов ввести процесс с использованием плоских структур и (Ворота-все-аааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааа) транзисторы. Альтернативно, вариант процесса 3 нм, включающего углеродные нанотрубки, может быть вариантом, который уже прошел стадию лабораторных испытаний и начал тесты производственных линий SMIC.

Подписаться
Уведомить о
guest

0 комментариев
Старые
Новые Популярные
Межтекстовые Отзывы
Посмотреть все комментарии