Imec и ее партнеры реализуют производство пластин нитрида галлия (GaN) диаметром 300 мм для низко- и высоковольтной электроники.
Нитрид галлия (GaN) используется в электронике с 1990-х годов, сначала в светодиодах, а с начала XXI века в силовых транзисторах. В последние годы эта технология становится все более популярной в связи с растущим спросом на быстрые зарядные устройства и блоки питания компьютеров. Imec реагирует на эти потребности, объявляя совместно со своими партнерами о начале производства 300-мм пластин нитрида галлия.
Компания Imec и партнеры приступили к реализации производства пластин нитрида галлия (GaN) толщиной 300 мм. Процесс разделен на два этапа для низковольтной и высоковольтной электроники, а готовность производства запланирована на конец 2025 года.
Infineon объявляет о производстве пластин нитрида галлия (GaN) толщиной 300 мм. Это следующий шаг в развитии электроники.
Imec (Межуниверситетский центр микроэлектроники), бельгийский научно-исследовательский институт, базирующийся в Левене, объявил совместно с партнерами AIXTRON, GlobalFoundries, KLA Corporation, Synopsys и Veeco о запуске программы по реализации производства 300-мм пластин нитрида галлия (GaN). Инициатива направлена на разработку транзисторной технологии HEMT (High Electron Mobility Transistor) и эпитаксиальных процессов для систем низкого и высокого напряжения, которые позволят снизить производственные затраты и повысить энергоэффективность, позволяя создавать более современные конструкции. На первом этапе программы будет разработана базовая технологическая платформа для HEMT-транзисторов p-GaN, предназначенных для низковольтных приложений (около 100 В) на подложках Si(111) толщиной 300 мм. В настоящее время ведутся завершающие работы над технологическими модулями, включая травление p-GaN.
EUV-литография изнутри. Узнайте о принципах работы, проблемах и будущем полупроводниковых технологий.
Следующий этап программы будет предусматривать реализацию производства высоковольтных компонентов напряжением 650 В и выше. Планируется использовать полуспециальные подложки диаметром 300 мм (материалы с поликристаллической сердцевиной AlN), совместимые с КМОП QST. В ходе работы крайне важно контролировать деформацию пластин диаметром 300 мм и их механическую прочность. Запуск программы GaN диаметром 300 мм последует за успешными испытаниями и разработкой комплектов масок, а полная производственная готовность, как ожидается, будет достигнута к концу 2025 года. Технология GaN играет все более важную роль в разработке быстрых зарядных устройств, преобразователей постоянного тока в постоянный ток, инверторов и блоков питания компьютеров, особенно в энергосистемах центров обработки данных, где миниатюризация и энергоэффективность являются ключевыми факторами. Стоит добавить, что imec — не первый центр, разрабатывающий инновационные решения в этой области, полноценный выпуск 300-мм пластин GaN был начат немецкой компанией Infineon примерно за год до этого.
Источник: Имек
