Intel Foundry специализируется на технологии GaN-on-Silicon. 19 микрометров, 300 мм и новое движение в области систем искусственного интеллекта

Гонка за ИИ-чипами уже давно перестала быть простым аукционом за нанометры. Все чаще преимущество определяется тем, насколько быстро и с какими потерями можно подавать энергию во все более плотно упакованные вычислительные блоки. Intel Foundry демонстрирует не новый процессор, а элемент, который менее эффектен на презентациях, но, возможно, более важен на практике. Это очень тонкий GaN-чип, интегрированный с классической кремниевой логикой.

Самое интересное в этом шаге Intel — не сам GaN, а попытка перенести борьбу за преимущество с литографии на питание и интеграцию всего пакета.

Intel присоединяется к TeraFab. Проект Илона Маска обретает партнера по производству и упаковке систем искусственного интеллекта

Intel привнесла в IEDM 2025 что-то, что звучит как лабораторный эксперимент, но оно нацелено на вполне реальную проблему центра обработки данных. Речь идет о чиплете на основе нитрида галлия, изготовленном на пластине диаметром 300 мм по технологии GaN-on-Silicon, с уменьшенной толщиной кремниевой основы всего до 19 микрометров. Однако важно не просто побитие рекорда толщины, а интеграция GaN-транзисторов для силовых задач с кремниевыми схемами управления в одной системе. Производитель говорит о блокировке напряжения до 78 В, частоте среза более 300 ГГц, задержке инвертора в 33 пикосекунды и успешно пройденных испытаниях на надежность. Это все еще демонстрация технологии, а не готовый продукт, но в то же время это нечто большее, чем просто условное видение.

Intel Serpent Lake станет первым поколением процессоров со встроенными графическими системами NVIDIA RTX

Для пользователя ПК ничего не изменится. Для оператора фермы искусственного интеллекта или разработчика ускорителей ставки выше, поскольку более короткий путь между управлением и питанием означает меньшие потери, меньшие по размеру регуляторы напряжения и их легче переместить ближе к графическому процессору или процессору. Intel не выигрывает у конкурентов только за счет использования GaN, поскольку imec и Infineon также работают над пластинами диаметром 300 мм, а Тайваньская компания по производству полупроводников разрабатывает собственный подход к улучшению электропитания через A16 с Super Power Rail. Разница в том, что Intel пытается инкапсулировать GaN и кремниевую логику в одном чиплете, а не оставлять их на отдельных кристаллах или на уровне самого логического процесса.

Exynos 2800 будет изготовлен с использованием улучшенной 2-нм литографии. Samsung выбирает производительность, а не гонку нанометров

Эта информация хорошо согласуется с предыдущими статьями об EMIB, Foveros и расширении серверной части Intel Foundry. Если компания добьется урожайности, затрат и долговечности при массовом производстве, она получит аргумент, который невозможно свести к лозунгу об очередной литографии, т. е. о том, что мы можем не только производить систему, но и разумно питать всю упаковку для эпохи развития искусственного интеллекта. Если он не выступит, будет интересная информация с конференции. Однако на этот раз Intel играет там, где отрасль действительно страдает.

Источник: Сообщество Intel.