Intel при поддержке SoftBank готова выпустить альтернативу памяти HBM к 2029 году

Несмотря на свою популярность, память HBM не идеальна, поскольку она остается дорогой и энергоемкой, а это также влияет на увеличение производства традиционной DRAM. SoftBank и Intel намерены начать массовое производство новой памяти типа ZAM к 2029 году.

Saimemory, дочерняя компания SoftBank, будет отвечать за разработку Z-Angle Memory (ZAM) и продажи готового продукта, а Intel поделится своими технологиями производства и упаковки. Само обозначение Z-Angle указывает на намерение разработчиков увеличить высоту памяти по координате Z. По сути, по примеру HBM, это будет стек из нескольких уровней чипов, но в нем будут использоваться более совершенные методы упаковки и более эффективная архитектура.

Теоретически это должно позволить увеличить индивидуальную емкость стека памяти ZAM в два-три раза по сравнению с HBM, одновременно сократив энергопотребление вдвое и сохранив или сократив производственные затраты на 40%. По предварительным данным, Intel готова предложить для производства ZAM технологию упаковки памяти NGDB, которая позволит повысить энергоэффективность по сравнению с HBM. Помимо базового кристалла, стек существующих прототипов включает восемь уровней DRAM. Память ZAM будет проще производить, чем HBM, что позволит быстро масштабировать объемы производства. Прототипы этих чипов партнеры покажут до конца марта 2028 года. Ожидается, что массовое производство памяти нового типа начнется в ближайшие 12 месяцев. Fujitsu также участвует в проекте с японской стороны.