Intel впервые представила прототип памяти ZAM, которая призвана составить конкуренцию памяти HBM на рынке искусственного интеллекта
Время от времени в сегменте памяти появляется информация о новых концепциях и прорывных технологиях, многие из которых в конечном итоге бесследно исчезают и никогда не реализуются по-настоящему. Однако ситуация иная, когда производители представляют работающий прототип. Такая ситуация произошла во время выставки Intel Connection Japan 2026, где была представлена ZAM (Z-Angle Memory) для ускорителей искусственного интеллекта.
В ходе мероприятия Intel Connection Japan 2026 компания Intel представила рабочий прототип оперативной памяти ZAM (Z-Angle Memory), предназначенной для ускорителей искусственного интеллекта.
Intel Nova Lake — топовые модели могут потреблять более 700 Вт при полной нагрузке. Это уровень сегмента HEDT.
Новый тип памяти для высокопроизводительных графических процессоров для задач искусственного интеллекта — результат сотрудничества Intel с Saimemory, дочерней компанией SoftBank. Однако это не совсем революционное решение, а скорее расширение концепции памяти HBM, с которой оно призвано конкурировать. Как и в HBM, мы имеем дело со стекированием слоев DRAM, но ключевым отличием является отказ от вертикальных TSV-соединений между слоями и логическим слоем (логическим кристаллом). Вместо этого использовались диагональные соединения по технологии «медь-медь» без использования традиционных микроприпоев. Дополнительно внутри штабеля размещен центральный тепловой столб, задачей которого является эффективный отвод тепла в верхнюю часть всей конструкции ZAM.
Intel Nova Lake — мы узнали характеристики чипсетов для процессоров Core Ultra 400. Производитель может игнорировать бюджетный сегмент
Такая конструкция, по утверждению Intel, позволит увеличить плотность одного чипа памяти до 512 ГБ, а также обеспечить на 40–50% меньшее энергопотребление по сравнению с используемыми сейчас памятью HBM, хотя компания не уточняет, к какому поколению относится это сравнение. Кроме того, производство памяти ZAM будет проще, чем в случае с HBM. Однако в Intel подчеркивают, что ключевым преимуществом новой технологии являются гораздо лучшие тепловые свойства. Также стоит отметить, что это довольно уникальная ситуация, поскольку Intel уже несколько лет не присутствует напрямую на рынке DRAM. Однако презентация работающего прототипа и реалистичные проектные предположения позволяют предположить, что у памяти ZAM есть реальный шанс быть реализованной на рынке ускорителей искусственного интеллекта в ближайшие годы.
Источник: Intel, WCCFTech, PCWatch.
