Кислород в литографической камере. Этот простой трюк IMEC может ускорить производство новейших чипов на 20 процентов.

На протяжении десятилетий полупроводниковая промышленность искала способы ускорить производство чипов без необходимости замены целых технологических линий. Бельгийский исследовательский центр IMEC объявил о результатах, которые могут изменить подход производителей к одному из ключевых этапов EUV-литографии — запеканию после экспонирования резиста. Открытие на удивление просто реализовать, но его потенциальные последствия для производительности и производственных затрат могут быть значительными.

Контроль состава газа при отжиге после ЭУФ-воздействия оказывается более эффективным рычагом увеличения производительности производства современных чипов, чем предполагалось ранее.

4,8 ТБ данных, хранящихся в боросиликатном стекле, прослужат до 10 000 лет. Коротко о Microsoft Project Silica

На конференции SPIE Advanced Lithography + Patterning 2026 в Сан-Хосе ученые бельгийской компании IMEC показали, что концентрация кислорода в атмосфере увеличивается с 21 процента. до 50 процентов при постэкспозиционном запекании (ПЭБ), повышает чувствительность (так называемую фотоскорость) металлооксидных фоторезистов (МОР) на 15-20%. Эффект наблюдался как с модельными, так и с коммерческими резисторами. На практике это означает, что EUV-сканер может работать при более низкой дозе облучения, не модифицируя саму литографическую систему.

Жидкая тепловая батарея, созданная на основе повреждения ДНК, может хранить солнечную энергию до 481 дня.

Результаты были получены с использованием инструмента BEFORCE (система Bake и EUV с FTIR и измерением выхлопных газов для оценки сопротивления в контролируемой среде), собственного решения IMEC, которое изолирует пластину от атмосферы чистого помещения и позволяет точно контролировать состав газа. Встроенный ИК-Фурье-спектрометр отслеживает химические изменения, происходящие в резисте во время отжига. Резисты MOR превосходят традиционные химически улучшенные резисты (CAR) с точки зрения разрешения и шероховатости кромок (LER), что делает их идеальным материалом для создания ультратонких слоев в процессах EUV с высокой числовой апертурой.

Манчестерский университет помог разработать новый стандарт ISO для решения проблемы проверки однослойного графена

Для производителей чипов последствия ощутимы. Стандартные EUV-сканеры ASML обеспечивают производительность примерно 200 пластин в час, а системы с высокой числовой апертурой — примерно 175 пластин в час. Чувствительность повысилась на 15-20%. означает потенциальное освобождение от наиболее дорогостоящих звеньев производственного процесса. В контексте внедрения систем TWINSCAN EXE:5200B в Intel и планов SK Hynix по созданию памяти DRAM следующего поколения открытие IMEC имеет очень практическое значение. Более низкая необходимая доза EUV приводит к более высокой производительности и снижению затрат на производство одной системы.

Источник: ИМЭК