Первые утечки для Snapdragon 8 Elite Gen 6 выявили кодовые имена чипов

Первые утечки для Snapdragon 8 Elite Gen 6 выявили кодовые имена чипов

Qualcomm недавно представил Snapdragon 8 Elite Gen 5, но слухи уже доставляют нас до 2026 года. Согласно знаменитой цифровой чате, компания внутренне готовит свои следующие флагманские мобильные чипы — Snapdragon 8 Elite Gen 6 и Snapdragon 8 Gen 6.

Последняя утечка информации показывает внутренние кодовые имена систем в чипе: SM8975 для 8 Elite Gen 6 и SM8950 для стандартного 8 Gen 6. Для сравнения, текущие 8 Elite Gen 5 и 8 Gen 5 имеют ID SM8850 и SM8845.

Ожидается, что чипы будут изготовлены с использованием новой технологии 2NM и будут поддерживать новую стратегию названия для серии Snapdragon 8.

Это вся информация, которую мы имеем до сих пор для шестого поколения. В то же время, пятое поколение дает представление о том, куда идут дела. Последний чип Qualcomm основан на процессоре Oryon третьего поколения с ядром, работающим с частотой до 4,6 ГГц.

Компания утверждает, что достигла 20% повышения производительности и до 35% лучшей энергоэффективности, чем предыдущее поколение.

Графический процессор также может похвастаться 23% повышением производительности и более высоких тактовых частот в играх. Обработка искусственного интеллекта выполняется более быстрым гексагоном блока с нейронным процессором, обещая на 37% более высокую производительность. Для создателей контента процессор Image Spectra и обслуживание Advanced Professional Video (APV) позволяют практические видео 8K без потери качества.

И последнее, но не менее важное: Qualcomm использует новый модем x85 для 5G -подключения. Xiaomi уже выпустила свои флагманские смартфоны в серии 17 с этим чипом, в то время как OnePlus, Vivo, Iqoo, Oppo, Realme и Honor, как ожидается, представит новые устройства, основанные на платформе в конце 2025 или начале 2026 года.

Интересный факт: Переход ко 2 -м технологическому процессу, ожидаемый в Snapdragon 8 Elite Gen 6, станет значительным шагом в миниатюре полупроводников. Этот процесс позволит упаковать еще больше транзисторов в той же области кристалла, что потенциально приведет к революционным улучшениям как производительности, так и энергоэффективности будущих мобильных устройств.

Подписаться
Уведомить о
guest

0 комментариев
Старые
Новые Популярные
Межтекстовые Отзывы
Посмотреть все комментарии