RAM никогда не бывает достаточно: бельгийские ученые создали прототип 120-слойной 3D памяти DRAM

Исследователи из бельгийского центра IMEC и Университета Гента (Угадываться) разработали и протестировали технологию для выращивания многослойной структуры для производства памяти 3D DRAM. Эта технология уже была успешной в памяти 3D NAND. Сейчас пришло время создать «небоскребы» из клеток DRAM, спрос которых увеличивается с каждым годом.

Рэм -ячейка немного сложнее, чем ячейка памяти NAND. DRAM требует комбинации быстрого транзистора и конденсатора. Это подразумевает более сложную архитектуру и расширенный набор материалов, которые не очень хорошо масштабируются до многослойных структур, но прогресс не стоит в одном месте, и ученых ИМЕК, которые имеют огромный опыт разработки передовых процессов, могли найти решение.

Исследователи смогли выращивать многослойные структуры в форме чередующихся слоев кремния (SI) и кремния-германа (SIGE) на 300-миллиметровой площадке.

Прототип будущего 3D DRAM содержит 120 тонких слоев, расположенных друг на друга с атомной точностью. Трудность состоит в том, что кремниевые и кремниевые герман имеют несовместимые атомные решетки, так что при расположении друг на друга напряжения возникают в кристаллических структурах этих материалов (напряжения (напряжения (напряжения (напряжения (напряжения (напряжения (напряжения (напряжения (напряжения (напряжения (напряжения (напряжения (напряжения (напряжения (напряжения (напряжения (напряжения (напряжениядавление и растяжение) это может привести к дефектам и не -функциональности памяти. Чтобы лучше соединить разнообразные слои, исследователи должны были добавить углерод в материалы.

Кремний и германия осаждаются последовательно на подложку газовой фазы. Строгий контроль условий задержки, позволил избежать дефектов. Многослойные структуры, созданные в лаборатории, все еще далеки от того, что их называют памятью. Это просто подготовка, которая позволяет нам оценить степень чистоты и наличие дефектов — чрезмерные напряжения кристаллической решетки в слоях.

Кроме того, выполненная работа лежит в основе развития полевых транзисторов-транзисторов ворота в целевом воздействии (Гаафет) и дополнительный FET (CFET), которые разрабатываются в IMEC. Все они вместе обещают привести к взрывному росту оперативной памяти в устройствах и на платформах для искусственного интеллекта и обработки данных. За последние десятилетия лозунг «у вас никогда не будет слишком много памяти», не потерял свою актуальность, став самым современным лозунгом для ИТ-индустрии.