Разработал сдержанный ган-трансстор для более мощных Bluetooth и Wi-Fi-трансмиттеров

Ученые из Массачусетского технологического института (MIT) и их коллег разработали новую технологию для интеграции транзисторов нитридов Галия непосредственно на кремниевые чипы, что может привести к более мощным и энергоэффективным беспроводным передатчикам и другим электроникам следующего поколения.

Нитрид Галия — это полупроводниковый материал, который превосходит кремний при работе с высокими температурами, напряжением и токами. Вот почему Ган уже используется в современных ноутбуках и зарядных устройствах смартфонов, а также считается перспективным на высокочастотных и мощных устройствах. Тем не менее, чипсы, полностью изготовленные GAN, дорогие для производства, что ограничивает их массовое использование.

Новый метод MIT позволяет размещать небольшие транзисторы GAN (измеряя только 0,24 х 0,41 мм) непосредственно на стандартных кремниевых чипах с использованием медного соединения с низкой температурой. Это снижает затраты с использованием лишь небольшого количества дорогих материалов и избегая сложных и дорогих процессов, включая золото и высокие температуры. Результатом являются гибридные чипы, которые сочетают в себе высокую скорость и энергоэффективность GAN с вычислительной мощностью кремния.

Тесты показывают, что эти чипы могут улучшить сигналы более эффективно, чем традиционные кремниевые решения, что делает путь для более мощных и компактных усилителей смартфонов, устройств Wi-Fi и Bluetooth, улучшая качество подключения, частотной ленты и срок службы батареи.

Индустрия уже проявила интерес к этому развитию, поскольку традиционные кремниевые технологии почти достигли их физических границ, и поиск более быстрых и более мощных устройств только увеличивается. Вполне возможно, что в ближайшем будущем ваши гаджеты будут работать на таких гибридных чипах, обеспечивая стабильную связь и высокую производительность.