Российские литографии 193 нм появятся примерно через 2 года и будут работать старым модным способом
В интервью с корреспондентом TASS Геннадией Красников, президент Российской академии наук, заявил, что российские литографические сканеры 193 нанометра для производства современных чипов появятся примерно через два года. Кроме того, ученый отметил, что объекты будут основаны на классических источниках эксимерных светов, а не на полупроводниковых лазерах со всеми связанными преимуществами.
В конце марта стало известно, что российские и белорусские исследователи совместно создали литографический сканер с длиной волны 350 нм. Классические литографии последних десятилетий использовали 365 нм ртутные лампы в качестве источника света для таких решений. Развитие российского бельрукана зависит от продвинутого лазера-источника с твердым светом, который делает сканер более компактным, эффективным и прибыльным.
Можно ожидать, что дальнейшее уменьшение длины волны и улучшение разрешения проекции будет следовать тому же пути. Однако этого не произойдет до сих пор.
Как признает Красников, ученые в настоящее время работают с источниками эксимерных светов, основанных на смесь благородных газов, особенно с источниками с длиной волны 248 нм, и в ближайшем будущем, с классическими 193 нм лазерами.
Это путь, который уже был проведен глобальными производителями литографического оборудования и является надежным как швейцарские часы. Газовые лазеры уступают полупроводнику с точки зрения общей производительности, но они уже могут обеспечить то, что жесткие лазеры не смогут выполнять долгое время -радиационная мощность, достаточная для высокой производительности литографических установок.
Поощряет, что 193 нм сканеры, вероятно, будут доступны всего за два года. Такое оборудование по -прежнему может производить передовые чипы 5 нм технологического процесса. Полупроводниковая промышленность приблизилась к пределам возможных технологических стандартов, и сканеры 193 нм будут продолжать быть авангардным оборудованием в течение длительного времени.
