Samsung Galaxy S25 Fe: спецификации нового смартфона были обнаружены в прошивке

Пользователь с псевдонимом @TechKeyz333 обнаружен Подробные спецификации предстоящего Samsung Galaxy S25 Fe в коде прошивки На складном смартфоне Samsung Galaxy Z. Согласно выводам, новая модель получит значительные улучшения в области дисплея, фронтальной камеры и загрузки.

Основным инновацией будет Энергоэффективный экран LTPO (панель S6E3FC5), который, в отличие от его предшественника, сможет динамически изменять частоту обновления в диапазоне 30-120 Гц (доступные значения 30 Гц, 48 Гц, 60 Гц и 120 Гц)S Для сравнения, Galaxy S24 Fe поддерживал переключение только между 60 Гц до 120 Гц. Новый дисплей имеет сенсорную чип Synapti S3908T с частотой дискретизации 240 Гц.

В области камеры Samsung она сохранит конфигурацию основного модуля, ультра -кирокаганский объектив и телеобъектив из предыдущей модели. Основная камера с сенсором Samsung GN3 будет поддерживать видеозапись в разрешении 8K в 24 кадрах в секунду и Full HD со скоростью 240 кадров в секунду. Ультра -кирокальный модуль (Samsung 3L6) и телеобъектив (Samsung 3K1) смогут снимать видео в разрешении 4K со скоростью 60 кадров в секунду.

Значительное улучшение будет подвергнуться фронтальной камере, которая получит новый датчик Sony Imx825 С видеозаписи в разрешении 4K со скоростью 60 кадров в секунду.

Скорость загрузки также будет значительно улучшена — Galaxy S25 Fe будет поддерживать зарядку 45 Вт.который почти в два раза быстрее, чем Galaxy S24 Fe с его 25 Вт. Устройство будет использовать датчик зарядки MAX77775, чип управления мощностью DIO8018 (тот же самый, расположенный в Galaxy Z Flip 7), зарядном чипе кабеля CPS4038 и беспроводной зарядной зарядной чипы SM5443.