Samsung готовит к 2031 году 1-нм технологический процесс с новой революционной архитектурой Fork Sheet.

Южнокорейская компания намерена внедрить 1-нм технологический процесс к 2031 году, завершив активные исследования к 2030 году. Ключевым элементом будущей технологии станет архитектура Fork Sheet, которая заменит архитектуру GAA (Gate-All-Around), используемую в 2-нм решениях. Дорожная карта основана на прогрессе Samsung в освоении 2-нм техпроцесса: годовой выход кристаллов на 2-нм техпроцессе уже превышает 60%.

Переход на 1 нм считается одной из самых сложных задач в микроэлектронике. Речь идет не только о расширении существующих решений, но и о необходимости внедрения новой транзисторной архитектуры, поскольку традиционные подходы начинают достигать своих физических пределов.

Ключевым элементом будущих технологий обработки станет технология вилочных лезвий. Этот подход предполагает использование непроводящего барьера между транзисторами, что улучшает изоляцию и исключает неэффективно используемое пространство кристалла.

Этот подход отличается от технологии GAA (Gate-All-Around), используемой сегодня в 2-нм процессах Samsung. Хотя GAA уже обеспечивает высокую энергоэффективность, полностью перекрывая затворный канал, дальнейшее уменьшение размеров требует более радикальных решений, и именно здесь Fork Sheet рассматривается как следующий этап эволюции.

По аналогии, предложенной разработчиками, новая архитектура напоминает застройку плотно застроенного городского района: если раньше между «корпусами» было свободное пространство, то теперь оно используется для размещения дополнительных элементов. Это позволяет увеличить плотность транзисторов и потенциально повысить производительность чипов.