Samsung готовит массовое производство памяти HBM4, GDDR7 и DDR5 следующего поколения и стабильное производство с использованием 2-нм литографии GAA.

Совсем недавно мы писали, что Micron и SK hynix работают над более быстрыми вариантами памяти HBM4, а Samsung явно отстает. Однако, как это часто бывает в этой отрасли, ситуация быстро изменилась. Компания Samsung присоединилась к конкурентам, анонсировав собственные улучшенные модули HBM4, а также продемонстрировала прогресс в разработке новых поколений памяти GDDR7 и DDR5. Итак, давайте проверим, что именно приготовила компания.

Samsung анонсировала память HBM4 со скоростью передачи данных 11 Гбит/с, новые чипы GDDR7 плотностью 24 Гбайт, а также модули DDR5 емкостью более 128 Гбайт, предназначенные для рынка искусственного интеллекта.

Samsung HBM4E имеет скорость 13 Гбит/с на контакт и пропускную способность 3,25 ТБ/с. Опубликованы характеристики памяти 7-го поколения

Samsung, объявляя результаты за третий квартал 2025 года, сообщила о росте выручки на 15,4%, в основном за счет крупных поставок памяти HBM3E и SSD-носителей. По этому случаю компания раскрыла новые подробности о своих будущих продуктах. Память HBM4 получит вариант со скоростью передачи 11 Гбит/с на вывод, что соответствует пропускной способности до 2,8 ТБ/с на кристалл. Таким образом, Samsung догоняет конкурентов в лице Micron и SK hynix, которые также разработали более быстрые версии, выходящие за рамки базовой спецификации JEDEC. По имеющейся информации, производитель уже отправляет пробные чипы HBM4 партнерам AI-индустрии для квалификационных испытаний, а полное производство памяти и базовых матриц запланировано на 2026 год. Стоит добавить, что Samsung также планирует в 2026 году обеспечить стабильные поставки чипов 2-нм литографии GAA (Gate-All-Around), которые, скорее всего, будут использоваться в производстве SoC-систем из семейств Samsung Exynos и Qualcomm Snapdragon для мобильного рынка.

Мы узнали подробности спецификаций памяти от HBM4 до HBM8. Встроенное охлаждение, высокая пропускная способность и плотность памяти

Что касается памяти GDDR7, Samsung анонсировала чипы емкостью 24 ГБ (3 ГБ), которые могут сыграть ключевую роль для компании в 2026 году, тем более что многочисленные отчеты указывают на увеличение объема видеопамяти в видеокартах NVIDIA GeForce RTX 5000 SUPER. Однако неясно, является ли это тем же вариантом чипов, которые должны обеспечивать скорость 42,5 Гбит/с на вывод в зависимости от рабочей среды, поскольку Samsung также работает над такими решениями. Корейский производитель также анонсировал более крупные модули DDR5 емкостью более 128 ГБ, предназначенные для сегментов искусственного интеллекта и серверов. В настоящее время рынок DRAM и SSD в основном ориентирован на сектор искусственного интеллекта, что приводит к росту цен и возникновению дефицита потребительских товаров. Крупнейшие производители уже объявили о повышении цен на DDR5 и DDR4, поэтому нам предстоит посмотреть, как эти заявления повлияют на потребительский рынок.

Источник: Samsung, WCCFTech.