Samsung может использовать 2-нм техпроцесс для производства базовых чипов для памяти HBM4E

Рынок оперативной памяти для ускорителей искусственного интеллекта развивается очень динамично, и конкуренция в этом сегменте постоянно растет. Память HBM4 скоро будет доступна в новейших системах, а в Интернете все чаще появляется информация о следующем поколении — HBM4E. По последним данным, Samsung планирует использовать 2-нм литографию для производства базовых чипов для этой памяти, чтобы сохранить свое технологическое преимущество в этом сегменте.

Samsung планирует использовать 2-нм литографию при производстве базовых чипов памяти HBM4E. В будущем могут появиться и нестандартные варианты этой памяти, адаптированные под конкретные требования производителей ускорителей искусственного интеллекта.

Память для ИИ ускоряется на 60%. Rambus показал контроллер HBM4E, который ждут NVIDIA и AMD

Операционная память типа HBM представляет собой стопки слоев DRAM, расположенных в базовой системе, которая до поколения HBM3 отвечала только за распределение мощности, посредничество и управление сигналами. Однако, начиная с шестого поколения — HBM4, базовая система получила более активную роль, а также отвечает за выполнение вычислений, связанных с передачей данных, таких как организация очередей, предоставление доступа к банкам памяти, агрегирование и распределение передач, а также управление каналами памяти HBM. С этими изменениями существенно возросло значение технологического процесса, в котором производятся базовые системы. Samsung, несмотря на трудности с поколениями HBM3 и HBM3E, получила технологическое преимущество при разработке памяти HBM4, в основном за счет использования собственной 4-нм литографии для базовой системы, в то время как конкуренты по-прежнему используют 12-нм техпроцесс, предлагаемый TSMC.

Мы узнали подробности спецификаций памяти от HBM4 до HBM8. Встроенное охлаждение, высокая пропускная способность и плотность памяти

Samsung, однако, не намерена останавливаться и, по сообщениям корейских деловых СМИ, планирует использовать 2-нм техпроцесс при производстве базовой системы для седьмого поколения памяти — HBM4E. Сами слои DRAM должны быть созданы в процессе DRAM 1c. Параллельно ведутся работы по перепроектированию сети электропитания для HBM4E, которая должна справиться с увеличением количества подключений питания (Power Bump) с 13 682 до 14 457 при сохранении того же размера системы. Другие ключевые игроки отрасли также сосредоточили внимание на следующем поколении памяти HBM: TSMC объявила об использовании 3-нм технологического процесса при производстве базовых систем.

Samsung HBM4E имеет скорость 13 Гбит/с на контакт и пропускную способность 3,25 ТБ/с. Опубликованы характеристики памяти 7-го поколения

Запланированное производство базовых систем HBM на собственных заводах позволит Samsung Foundry поддерживать высокий уровень загрузки производственных мощностей и, как ожидается, обеспечит конкурентоспособные цены. Ожидается, что 2-нм техпроцесс сыграет важную роль в расширении производства на заводе Taylor в Техасе. Ожидается, что первые образцы памяти HBM4E появятся во второй половине 2026 года, а внедрение этого поколения в коммерческих ИИ-ускорителях ожидается в 2027 году. В отрасли также ожидают, что от поколения HBM4E в более широком масштабе появятся нестандартные варианты этой памяти, в которых базовая система будет модифицирована под конкретные ИИ-ускорители и требования их производителей.

Источник: Бизнес Корея.