Samsung на шаг ближе к HBM4-компания готова запустить драм 6-го поколения

Samsung Electronics получила внутреннее подтверждение того, что она готова к массовому производству памяти DRAM шестого поколения. Компания завершила разработку передового 10 -нм технологического процесса класса 1C, сообщает Korea Herald. Это приводит Samsung к запуску памяти HBM4.

Ранее сообщалось, что во время тестирования технологического процесса 1C Samsung смог производить хорошие продукты на уровне от 50% до 70%. Таким образом, корейский производитель уважает свой собственный график для изменений поколений продуктов примерно каждые два года. Это особенно важно для стратегии Samsung в области с высокой скоростью памяти — запуск массового производства стеков HBM4 на основе DRAM шестого поколения запланировано на вторую половину этого года.

В мае компания объявила, что HBM4 будет использовать технологию гибридных соединений для уменьшения тепла, обеспечивая при этом высокую пропускную способность памяти, что поможет удовлетворить растущие требования сепаратеров ИИ и высокопроизводительных вычислительных систем.

В настоящее время доминирующая компания HBM SK Hynix также разрабатывает HBM4, но на основе памяти пятого поколения DRAM на основе DRAM. В марте она начала доставлять образцы HBM4 своим основным клиентам с ожиданием массового производства этой памяти во второй половине года. Samsung еще не получила одобрения на свой вариант HBM4 от Nvidia, который мог бы предоставить ей большие заказы; Корейский производитель также ждет одобрения 12-слойного HBM3E, где он опирается на сотрудничество с NVIDIA и AMD.