Samsung представит на выставке CES 2026 первые образцы оперативной памяти LPDDR6 с пропускной способностью 10,7 Гбит/с

Компания Samsung пообещала представить на выставке CES 2026 образцы оперативной памяти LPDDR6, которые будут запущены в серийное производство годом позже. Чипы следующего поколения будут производиться по 12-нм техпроцессу и обеспечивать скорость передачи данных до 10,7 Гбит/с. Память следующего поколения будет использоваться в мобильных устройствах, высоконагруженной периферии и приложениях искусственного интеллекта.

Организация JEDEC описывает LPDDR6 в стандарте JESD209-6. Новый тип памяти имеет архитектуру с двумя подканалами на кристалл — по 12 линий данных в каждом. Каждый подканал имеет свой собственный набор командных и адресных сигналов. Эта конфигурация позволяет поддерживать 32-байтовую детализацию при высокой эффективной пропускной способности канала. Поддерживаются гибкие длины пакетов данных от 32 до 64 байт.

Самым важным преимуществом LPDDR6 является повышение энергоэффективности на 21% — при сопоставимых скоростях новая память работает при более низком напряжении, чем LPDDR5.

Он оснащен двумя независимыми источниками питания VDD2, функцией динамического сдвига напряжения и частоты (ДВФС) и режим динамической эффективности, который позволяет ограничить память одним подканалом при небольшой нагрузке.

Предусмотрено несколько функций безопасности. Наличие счетчика активации строк – предотвращает утечку заряда в соседние ячейки при частом доступе и поддерживает защищенные зоны с ограниченным доступом. Также имеется встроенная система исправления ошибок (ЕСС) непосредственно на кристалле, а также систему контроля четности (CA Паритет), защита каналов связи и встроенная система самопроверки памяти (МБИСТ).

Пока еще слишком рано говорить, какая серия процессоров будет поддерживать память следующего поколения – Intel и AMD пока ничего не говорят по этому поводу.