Samsung ускорила разработку HBM4, чтобы опередить SK hynix

Память семейства HBM оказалась востребованной в сегменте ускорителей вычислений для систем искусственного интеллекта, и ряд вендоров пытаются укрепить свои позиции в этом прибыльном сегменте рынка. В этой области Samsung явно отстает от SK hynix, но постарается догнать ее в рамках подготовки к массовому выпуску чипов типа HBM4.

По крайней мере, так утверждает издание южнокорейского ресурса The Chosun Daily со ссылкой на источники, знакомые с планами Samsung Electronics. По имеющейся информации, компания Samsung уже завершила разработку базовых кристаллов для HBM4 и доверила их производство по 4-нм технологии собственному контрактному подразделению. Таким образом, Samsung надеется быстро получить готовые образцы чипов HBM4 и отправить их потенциальным клиентам, которые в конечном итоге могут сбежать от SK Hynix, если инициатива окажется успешной.

Характерной особенностью стеков HBM4 является наличие в них основного логического чипа, функции которого могут варьироваться по желанию заказчика. Необходимость такой адаптации в сочетании с ориентацией на снижение энергопотребления вынудила SK hynix доверить производство таких базовых кристаллов тайваньской TSMC. Изначально считалось, что такие чипы для SK hynix будут производиться по 5-нм технологии, и на этом фоне решение Samsung использовать для аналогичных целей свой 4-нм техпроцесс казалось более выгодным, однако некоторое время назад появилась информация о намерениях SK hynix заказать у SK hynix Производство базовых кристаллов TSMC по более совершенной 3-нм технологии.

По мнению Samsung, собственное производство базовых кристаллов позволит компании быстрее реагировать на запросы клиентов, поэтому компания рассчитывает укрепить свои позиции на рынке после выпуска своих чипов HBM4. Во-вторых, ожидается, что Samsung будет использовать более совершенную 10-нм технологию шестого поколения для производства чипов DRAM в стеке, в то время как SK Hynix, как сообщается, будет использовать 10-нм процесс пятого поколения. Плотно расположенные в стопке до 16 уровней чипы могут выделять значительное количество тепла, поэтому технический процесс изготовления имеет особое значение.

Наконец, при производстве HBM4 Samsung рассчитывает реализовать как более совершенный гибридный метод формирования межслойных соединений с использованием меди, так и более совершенную технологию упаковки чипов TC-NCF. Компания намерена начать серийное производство HBM4 в этом году.