Samsung увеличит производство 1-нм памяти DRAM

Samsung ускоряет расширение своих производственных мощностей по производству 1-нм памяти DRAM, чтобы добиться лидерства на рынке HBM4. План предусматривает увеличение ежемесячного производства до 140 000 пластин ко второму кварталу 2026 года и до 200 000 пластин в месяц к четвертому кварталу. Эти этапы соответствуют этапам наладки оборудования с целью достижения готовности серийного производства на каждом этапе.

Текущая общая производственная мощность Samsung DRAM составляет примерно 650 000–700 000 пластин в месяц. Это означает, что объем производства новейшей 1-нанометровой памяти DRAM быстро достигнет примерно 30% от ее общей емкости, а темпы роста производства превысят расширение на 130 000 пластин в месяц, достигнутое во время бума полупроводниковой промышленности в 2022 году.

Для достижения этой цели Samsung осуществляет переход, модернизируя существующие линии по производству памяти DRAM и делая новые инвестиции в свой завод P4 в Пхёнтхэке.

Такое агрессивное расширение емкости отражает твердую уверенность Samsung в своей технологии 1 нм DRAM и рыночном спросе. В последнее время рынок DRAM, обусловленный высоким спросом со стороны искусственного интеллекта, столкнулся с дефицитом предложения.

Столкнувшись с такой же возможностью, конкурент SK Hynix также планирует начать массовое производство 1-нм DRAM в 2025 году и выйти на полную мощность в 2026 году. Ожидается, что к концу 2026 года более половины внутреннего производства памяти DRAM общего назначения в Южной Корее будет производиться по 1-нм техпроцессу, формируя полный спектр 1-нм продуктов, включая LPDDR и GDDR.