Samsung завершает работу над памятью V-NAND TLC с более чем 400 слоями. Решение в конечном итоге будет доступно для потребительских твердотельных накопителей.

Мы уже давно наблюдаем стремительный прогресс на рынке SSD-носителей. Эти типы накопителей становятся все быстрее и емче. Одним из крупнейших производителей используемой в них флэш-памяти NAND является, конечно же, компания Samsung. Корейская компания сейчас работает над десятым поколением памяти V-NAND, которую теоретически можно будет использовать не только в носителях на базе стандарта PCIe 5.0, но и в PCIe 6.0.

Samsung официально представит десятое поколение памяти V-NAND в начале следующего года. Решение будет обеспечивать высокую плотность ячеек и скорость, что также может позволить использовать его с SSD-носителями на основе стандарта PCIe 6.0.

Kioxia ожидает огромного увеличения спроса на флэш-память NAND в ближайшие четыре года

В настоящее время Samsung немного отстает от конкурентов, когда дело касается SSD-накопителей. Мы все еще ждем полноценного носителя PCIe 5.0, адресованного широкому кругу рядовых потребителей. Иная ситуация в случае с производством самой флэш-памяти NAND, в котором компания является одним из мировых лидеров. Во время конференции ISSCC, запланированной на февраль 2025 года, Samsung официально представит десятое поколение памяти V-NAND. Решение будет состоять из более чем 400 уровней и будет использовать архитектуру TLC. Единая система памяти будет предлагать емкость 1 ТБ. Поскольку в одном корпусе можно будет использовать до 16 чипов такого типа, ожидается, что SSD с четырьмя пакетами будет предлагать до 8 ТБ дискового пространства.

Представлен Corsair MP700 Elite — твердотельный накопитель M.2 NVMe с новейшей памятью 3D TLC NAND

Плотность ячеек памяти V-NAND нового поколения составит 28 Гбит/мм². Это не лучший результат, поскольку последнее поколение памяти Samsung QLC V-NAND емкостью 1 Тб обеспечивает плотность 28,5 Гб/мм². Однако здесь речь идет о TLC-памяти, так что это все равно впечатляющий результат. Десятое поколение памяти V-NAND будет обеспечивать скорость до 5,6 ГТ/с. Теоретически это не исключает возможности использования подобных систем в будущих накопителях, использующих стандарт PCIe 6.0 x4. Производство памяти должно начаться в следующем году, но неясно, сможет ли Samsung поставлять твердотельные накопители с использованием этого решения до конца года.

Источник: Оборудование Тома.