SK Hynix представил память смартфона UFS 4.1 на основе 321-листового 4D NAND

SK Hynix объявил о разработке UFS 4.1 Модули памяти, основанные на самых современных 321-слойственных 3D-NAND-клетках в мире (или 4D NAND в соответствии с терминологией компании) Эти модули предназначены для использования в встроенной памяти в мобильных устройствах.

По словам компании, для обеспечения стабильной работы систем искусственного интеллекта в мобильных устройствах, высокоэффективные требования и низкое энергопотребление памяти NAND постоянно увеличиваются. Компоненты UFS 4.1 должны помочь SK Hynix укрепить рынок памяти для флагманских смартфонов.

Модули нового поколения обеспечивают 7% повышение энергоэффективности по сравнению с предыдущей версией, основанной на 238-слойных чипах NAND. Кроме того, их толщина уменьшается с 1 мм до 0,85 мм, в соответствии с текущей тенденцией для ультра -тонких смартфонов. Скорость передачи данных для новых модулей UFS 4.1 SK Hynix достигает 4300 МБ/с, что является самой высокой последовательной скоростью чтения среди компонентов UFS четвертого поколения. Случайные показатели чтения и записи, которые имеют решающее значение для многозадачности, увеличилось на 15% и 40% соответственно.

SK Hynix планирует запустить массовые принадлежности новых модулей UFS 4.1 в первом квартале следующего года. Они будут доступны в вариантах 512 ГБ и 1 ТБ.