TSMC движется к техпроцессу 1 нм: цель – 1 триллион транзисторов

Компания TSMC, контролирующая около 70% мирового рынка по производству кремниевых пластин, продолжает укреплять свое технологическое лидерство. Хотя серийное производство по 2 нм техпроцессу N2 уже началось, корпорация активно готовится к переходу на следующий этап – 1 нм техпроцесс (А10).

Ключевым шагом для запуска производства станет строительство новых мощностей. В Тайнане планируется расширение индустриального парка «Шалун» площадью более 5300 акров. Ожидается, что оценка воздействия на окружающую среду второй фазы проекта будет завершена в третьем квартале 2027 года, после чего TSMC сможет начать строительство завода, который займет не менее 2000 акров.

Согласно планам, на территории кампуса Шалоун будет построено шесть заводов. Первые три (П1-П3) будут ориентированы на техпроцесс A14 (1,4 нм), а остальные три (P4-P6) – на 1 нм техпроцесс A10. В будущем не исключен переход на стандарты 0,7 нм.

Дорожная карта TSMC выглядит так: вслед за нынешним 2-нм техпроцессом N2, который уже используют Apple и AMD, последует технологический процесс A16 (1,6 нм). Он будет впервые реализован в графическом процессоре Nvidia Feynman, пилотное производство начнется в конце этого года, а серийное производство — не ранее 2027 года. Затем, в 2028 году, ожидается выпуск A14 (1,4 нм) с транзисторной структурой GAA второго поколения и задней панелью питания.

Процесс A10 с нормой 1 нм, который станет первым в TSMC, работающим на уровне ангстрем (1 нм = 10 Å), запланирован на 2030 год.

Технические подробности пока не разглашаются. В отрасли ходят слухи о возможном переходе от транзисторной структуры GAA к более совершенной CFET (Дополнительный полевой транзистор) и даже для использования 2D-материалов.

Одна из амбициозных целей TSMC, поставленных более двух десятилетий назад, — достичь плотности 200 миллиардов транзисторов на кристалл при 1-нм техпроцессе и до триллиона транзисторов в 3D-корпусе. Эта цель совпадает с аналогичными заявлениями Intel, создавая интригующую гонку между двумя гигантами полупроводниковой промышленности.