TSMC начинает массовое производство 2-нм чипов без особой помпы

Четвертый квартал этого года уже давно фигурирует в планах TSMC как период начала массового производства 2-нм продукции, и если судить по информации, опубликованной на официальном сайте компании, старт производства состоялся на заводе TSMC Fab 22 в южной части Тайваня в Гаосюне.

Об этом сообщает издание Tom’s Hardware, которое анализирует всю имеющуюся на данный момент информацию по этому вопросу. В первом поколении процесса N2 компании TSMC должен обеспечиваться рост производительности на 10-15% при неизменном энергопотреблении или снижение последнего на 25-30% при том же уровне производительности транзисторов. По сравнению с процессом N3E плотность транзисторов увеличится на 15% для микросхем смешанной конструкции, а для компонентов, состоящих только из логики, — на 20%.

Впервые TSMC будет использовать транзисторную структуру GAA именно в рамках 2-нм техпроцесса и его последующих вариантов.

Новая геометрия улучшает электростатический контроль, снижает токи утечки и позволяет уменьшить размер транзистора без ущерба для производительности или энергоэффективности. Кроме того, в процессе N2 в подсистеме питания чипа будут использоваться конденсаторы типа SHPMIM. По сравнению с предыдущими модулями SHDMIM они более чем в два раза увеличивают плотность емкости и уменьшают сопротивление, что обеспечивает более стабильное питание и повышает общую энергоэффективность.

В октябре генеральный директор TSMC К.К. Вэй сказал, что процесс N2 будет запущен в массовое производство к концу четвертого квартала и будет иметь хорошие показатели. В 2026 году объемы производства увеличатся, как чипов для смартфонов, так и высокопроизводительных решений искусственного интеллекта. Компания начала производство чипов N2 на заводе Fab 22 на юге Тайваня, хотя ее центр исследований и разработок расположен в Синьджу в другой части острова.

Соседний завод Fab 20, по всей видимости, освоит 2-нм производство позже. Готовность TSMC изначально внедрить процесс N2 для крупных и сложных чипов показывает высокий спрос на 2-нм продукты из сегмента искусственного интеллекта, а также уверенность компании в своих возможностях. Традиционно новый процесс сначала применяется при производстве относительно компактных мобильных и потребительских чипов.

К концу 2026 года оба вышеупомянутых производства начнут выпускать чипы по технологии N2P, которая обеспечит прирост производительности, а также по технологии A16, которая добавит мощность с обратной стороны кремниевой пластины (Суперсиловая железная дорога). Последняя инновация позволит создавать более эффективные и сложные чипы для сегмента высокоскоростных вычислений. Массовое производство таких компонентов должно начаться во второй половине 2026 года.