TSMC раскрывает подробности своего 2-нм технологического процесса. Это позволит вам максимизировать эффективность или результативность

В настоящее время TSMC завершает работу над своим 2-нм техпроцессом. Новое решение под названием N2 официально дебютирует в 2025 году, хотя тестовое производство стартовало в середине этого года. Этот процесс будет иметь множество преимуществ и может подчеркивать различные аспекты в зависимости от особенностей рассматриваемого чипа и воли разработчика. Тайваньская компания недавно раскрыла более подробную информацию о своем будущем решении.

Процесс TSMC N2 станет основой для многих современных чипов, выпускаемых с 2025 года. Это решение предложит ряд преимуществ, которые позволят максимизировать эффективность или минимизировать энергопотребление.

TSMC может вскоре начать производство ускорителей NVIDIA Blackwell на новом заводе в США

Ожидается, что 2-нм техпроцесс TSMC снизит энергопотребление на 24-35% по сравнению с 3-нм техпроцессом. Однако чипы на основе нового решения также смогут добиться максимальной производительности. В этом случае оно будет на 15% выше при условии одинакового напряжения. Процесс N2 также обеспечит в 1,15 раза большую плотность транзисторов. Вышеупомянутые достижения были бы невозможны без новых нанолистовых транзисторов GAA (Gate All-Around) и технологии проектирования N2 NanoFlex. Эти транзисторы, по сравнению со старым решением FinFET, обеспечивают заметно более высокую производительность на ватт мощности, особенно при низком напряжении. По данным TSMC, энергопотребление чипа может быть ниже на целых 75% (в режиме ожидания и при напряжении 0,5 В). Технология N2 NanoFlex, в свою очередь, позволяет смешивать высокопроизводительные и энергоэффективные элементы в одном блоке. Благодаря этому процесс N2 позволит максимизировать производительность данного чипа или сосредоточиться на низком энергопотреблении, в зависимости от воли разработчика.

Samsung может последовать примеру Intel и перенести производство чипов в TSMC. Приближается ли конец горячего и энергоемкого Exynos?

Процесс TSMC N2 также обеспечивает рекордную плотность SRAM. В данном случае это 38 Мб/мм². Он также отличается меньшим энергопотреблением, а его стабильная работа возможна при напряжении 0,4 В. В новом техпроцессе также используются провода с на 20% меньшим сопротивлением, что также благотворно влияет на энергоэффективность чипов. Однако некоторые функции процесса N2 будут зарезервированы исключительно для решений, предназначенных для рынка высокопроизводительных вычислений. В частности, это касается конденсаторов ШП-МиМ. Это высокопроизводительное решение, позволяющее максимально увеличить рабочую частоту Fmax за счет снижения переходных падений напряжения. Стоит отметить, что Samsung также работает над техпроцессом 2 нм. Как и в случае с TSMC, производство чипов на ее основе должно начаться в следующем году.

Источник: Оборудование Тома.