В Китае создали чип памяти толщиной в один атом

Исследовательская группа Фуданьского университета в Шанхае под руководством профессора Чуна Лю разработала гибридный чип, сочетающий в себе двумерные модули памяти толщиной в один атом с традиционной кремниевой архитектурой. Результаты исследования опубликованы в научном журнале Nature.

Развитие основано на технологиях Атом2чипчто позволяет интегрировать монослой дисульфида молибдена непосредственно на поверхность КМОП-чипа. Двумерный материал имеет толщину в один атомный слой. Чтобы защитить атомный слой от повреждений, исследователи используют специальную систему упаковки и разрабатывают архитектуру interply-платформы, которая обеспечивает связь между двумерными схемами и кремниевой платформой.

Созданный прототип представляет собой микросхему флэш-памяти NOR емкостью 1 килобайт. Устройство работает на частоте 5 мегагерц. Время программирования и удаления составляет 20 наносекунд. Чип способен выполнять операции чтения, записи и удаления по внешним командам.

Интеграция двумерных материалов с кремниевыми чипами снимает физические ограничения на миниатюризацию традиционных полупроводников. Кремниевая технология достигла предела уменьшения размеров транзисторов, а двумерные материалы открывают возможности для дальнейшего масштабирования электронных компонентов.

Этот двумерный флэш-чип служит проектом для устройств памяти следующего поколения, которые обещают более высокую плотность и высокую энергоэффективность. Разработанная технология может быть использована для создания процессоров и других типов микросхем.