В Массачусетском технологическом институте (MIT) создал магнитный транзистор с памятью-это более мощный, чем любой существующий

Технологический институт Массачусетса (MIT) разработал магнитный транзистор, который может сделать электронику более энергоэффективной. Магниты были известны людям в течение тысячи лет, но их свойства в области электроники еще не были полностью использованы. Американские исследователи заполняют этот пробел, предлагая магнитный транзистор с памятью — решение многих проблем в современной электронике.

Основной проблемой, которую решает эта разработка, является фундаментальные ограничения полупроводников кремния: транзисторы не могут работать при напряжении ниже определенного порога, что ограничивает миниатюризацию и энергоэффективность устройств. Магнитный транзистор использует вспомогательные средства вместо традиционного заряда для управления потоком электронов, что делает путь для более компактных и энергоэффективных схем памяти. Это по сути прогресс в области Spiritronics.

Новая технология основана на двухмерном магнитном полупроводнике бромид сульфида хрома, который обладает уникальными магнитными свойствами и, который имеет решающее значение, является стабильным в воздухозастоящих условиях. Материал осаждается в тонком слое на кремниевой площадке, на которой ранее проложены управляющие электроды.

В отличие от его аналогов кремния, магнитный транзистор переключается между двумя магнитными условиями под влиянием внешнего магнитного поля, которое изменяет его электронные свойства и обеспечивает низкое потребление энергии. Кроме того, ученые обнаружили, что электрический ток также может непосредственно контролировать магнитные условия, обеспечивая прямой путь к производству чипов с несколькими такими транзисторами, что было бы трудно в случае управления только от внешнего магнитного поля.

Эксперименты по прототипам показали, что магнитный транзистор обеспечивает 10 -кратное переключение или усиление электрического тока, в то время как существующие магнитные транзисторы обеспечивают только несколько процентов эффекта. Это приводит к более прочному и более быстрому чтению сигнала, что делает устройство подходящим для высокопроизводительных приложений.

Наконец, магнитные свойства транзистора позволяют ему запомнить свои состояния, что делает его одновременно и ячейку памяти — без необходимости хранить информацию в другом месте. Это свойство также подчеркивает важность разработки, поскольку оно позволяет для расчетов памяти, особенно в той, в контексте искусственного интеллекта и периферических расчетов.