Samsung ускоряет гонку технологий: первые образцы памяти HBM4E дебютируют в мае

Samsung ускоряет гонку технологий: первые образцы памяти HBM4E дебютируют в мае

Для Samsung Electronics очень важно занять свое место на рынке HBM4E, оперативно предоставив ключевым клиентам образцы этой памяти, отвечающие всем техническим требованиям. Уже в следующем месяце, опережая собственный график, Samsung рассчитывает получить первые образцы HBM4E, которые будут обладать необходимыми характеристиками.

Схема HBM4E включает в себя логический кристалл, лежащий в основе стека микросхем DRAM. В случае с Samsung его производством будет заниматься контрактное подразделение компании, а соответствующий кристалл будет готов к середине мая. После внутреннего тестирования полученных образцов HBM4E Samsung передаст их Nvidia для оценки.

Первоначально Samsung продемонстрировала образцы HBM4E еще в марте этого года на конференции разработчиков GTC 2026. Принято считать, что эти образцы не были функциональными и предназначались только для демонстрационных целей. Ранее Samsung удалось первой среди большой тройки производителей объявить о начале поставок памяти типа HBM4, которая, как ожидается, появится на рынке раньше HBM4E. Корейская компания намерена производить базовый кристалл для HBM4E по 4-нм техпроцессу, а чипы DRAM в стеке по 10-нм техпроцессу шестого поколения (1c)что также должно дать ей преимущество перед конкурентами. Samsung начнет использовать 4-нм процесс для производства базового кристалла, продолжая при этом производить HBM4.

СК Хайникскоторая полагается на услуги TSMC для производства своих базовых чипов, попытается форсировать переход на более продвинутые технологии. При выпуске HBM4 компания планирует объединить 12-нм техпроцесс для базового кристалла и 10-нм техпроцесс пятого поколения (1b) для чипов DRAM в стеке. Предполагается, что для HBM4E базовые кристаллы будут производиться компанией TSMC по 3-нм технологии.

По некоторым данным, Nvidia немного отстает от первоначального графика выпуска ускорителей поколения Vera Rubin и Rubin Ultra, в которых будут использоваться HBM4 и HBM4E, поэтому массовое производство памяти этих типов также осваивается с опозданием, но Samsung ни в коей мере не хочет уступать конкурентам в этой области.

Все важное из мира технологий прямо на ваш почтовый ящик.

Подписываясь, вы принимаете наши Условия и Политику конфиденциальности. Вы можете отказаться от подписки одним щелчком мыши в любое время.

Подписаться
Уведомить о
guest

0 комментариев
Старые
Новые Популярные
Межтекстовые Отзывы
Посмотреть все комментарии